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【2h】

Quantum crossover in moderately damped epitaxial NbN/MgO/NbN junctions with low critical current density

机译:中等阻尼外延NbN / mgO / NbN结中的量子交叉   具有低临界电流密度

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摘要

High quality epitaxial NbN/MgO/NbN Josephson junctions have been realizedwith MgO barriers up to a thickness of d=1 nm. The junction propertiescoherently scale with the size of barrier, and low critical current densitiesdown to 3 A/cm$^2$ have been achieved for larger barriers. In this limit,junctions exhibit macroscopic quantum phenomena for temperatures lower than 90mK. Measurements and junction parameters support the notion of a possible useof these devices for multiphoton quantum experiments, taking advantage of thefast non equilibrium electron-phonon relaxation times of NbN.
机译:高质量的外延NbN / MgO / NbN Josephson结已经实现,其MgO势垒最高达d = 1 nm。结性质随势垒的大小一致地缩放,对于较大的势垒,已经实现了低至3 A / cm $ ^ 2 $的低临界电流密度。在此限制下,结点在温度低于90mK时表现出宏观量子现象。测量和结参数支持利用NbN的快速非平衡电子-声子弛豫时间来将这些器件用于多光子量子实验的想法。

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